集成電路芯片中最重要的部分是晶體管，做好芯片最終就是要把晶體管做好。過去100多年，晶體管產(chǎn)品主要是歐洲、美國企業(yè)在做，如真空二極管、三極管的制造，而我國基本沒有相關(guān)貢獻。在如今的后摩爾時代，中國科學家對于碳納米管、二維半導體等新材料的研發(fā)及其在集成電路方面的應用，雖然已經(jīng)做出了一些成就，但仍需加快追趕的步伐。

算力需求事關(guān)國家發(fā)展

人們常說，半導體的進程是1微米、0.7微米，以及常被提及的10納米、7納米、5納米。這些技術(shù)到底意味著什么？

實際上，它們最早來自美國企業(yè)英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾在1965年提出的摩爾定律。其核心內(nèi)容是，集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。

所謂的微米、納米技術(shù)，即每升級一代，晶體管的數(shù)目就會增加一倍、面積大概縮小一半。但對于先進制程，如3納米技術(shù)來說，目前仍存在挑戰(zhàn)。晶體管的柵電極長度大概需要十幾納米，這個量級并不會更小，否則就會產(chǎn)生隧穿等問題。因此，5納米或3納米現(xiàn)在基本是個符號，與器件的物理尺寸無嚴格對應關(guān)系，代表著科技進步的方向。

二十世紀初以來，算力沿著并不十分嚴格的線性關(guān)系發(fā)展。美國貝爾實驗室在1947年發(fā)明晶體管之后，便用晶體管替代真空電子管制造電路，使算力大大增加。算力的需求基本是按照線性方式增加，摩爾定律也是如此，我們對算力的要求和技術(shù)所能提供的算力，在過去基本是匹配的。但現(xiàn)在發(fā)生了一個非常大的變化，在2012年之前，算力每24個月增加一倍，后來變?yōu)槿膫€月增加一倍，2019年后發(fā)展到兩個月增加一倍。

今天，人們對算力的需求大幅提升。如何支撐算力快速發(fā)展的需求？這個問題決定著一個國家未來能否真正跟上發(fā)展的步伐。

半導體產(chǎn)業(yè)基本按照摩爾定律發(fā)展。二十世紀八九十年代，由于日本半導體快速發(fā)展，美國半導體行業(yè)經(jīng)歷了全球市場份額的重大損失。之后，美國通過“廣場協(xié)議”等手段壓制日本，使得美國經(jīng)濟在接下來的10年中反彈，并在1997年重新獲得48%的全球市場，占據(jù)領(lǐng)導地位。

2022年，邏輯、存儲、模擬和微處理器占據(jù)了半導體行業(yè)領(lǐng)域78%的份額。美國主要半導體企業(yè)如英特爾，在前沿研發(fā)的投入約占其營收的20%，而中國在半導體行業(yè)的投入比例不到歐美國家的一半。要改變這個現(xiàn)狀，需要國家在其中發(fā)揮重要作用。同期，美國半導體市場份額占全球半導體50%左右，直接就業(yè)人數(shù)為30.7萬。我國約占全球半導體市場份額的7%，但直接就業(yè)人數(shù)遠遠超過美國，亟須提高效率。當前我國缺乏的不是一般的半導體操作人員，而是真正能夠改變現(xiàn)狀的領(lǐng)軍人才。

材料是芯片技術(shù)進步的主要推動力

晶體管是集成電路芯片中最重要的部分，對于邏輯電路來說，超過90%的現(xiàn)代芯片由場效應晶體管（FET）構(gòu)成，后者分為電子型和空穴型。這兩類晶體管相當于人的兩條腿，配對工作可以使人平衡、往前走得更快。雖然器件有非常多的種類，但最核心、最關(guān)鍵的并不多，只要把最重要的晶體管性能做好，就能夠?qū)崿F(xiàn)趕超。

本世紀以來，整個晶體管的尺寸進入了亞100納米技術(shù)水平，晶體管性能已不能簡單地靠縮小體積來實現(xiàn)所需要的算力提升，材料的進步已經(jīng)成為晶體管技術(shù)進步的主要推動力，需引入各種各樣的新技術(shù)、新材料、新結(jié)構(gòu)、新原理。但這樣的組合非常復雜，例如7納米晶體管制備需要2000多個步驟，使用了元素周期表上大概一半的元素，要想進一步改進非常困難。總而言之，半導體集成電路目前的發(fā)展已經(jīng)趨于飽和，一代和一代的差別日益縮小，只有靠新材料、新架構(gòu)才能使其性能大幅提高。

未來，非硅基材料和可能發(fā)展的技術(shù)有很多。2009年，國際半導體技術(shù)藍圖（ITRS）路線圖委員會（IRC）選擇碳基納米電子學作為重點關(guān)注和投資的技術(shù)。碳納米管（1D）和傳統(tǒng)硅（3D）以及石墨烯（2D）比較，電子有效質(zhì)量是硅材料的1/3，速度是10倍。IBM的“后硅時代”預測，碳納米管技術(shù)的優(yōu)勢在于材料結(jié)構(gòu)和物性優(yōu)勢，使碳納米管晶體管實現(xiàn)高速、低功耗。更重要的是，碳納米管的低溫制備使得3D芯片制備成為可能，而3D芯片在結(jié)構(gòu)理論上可將芯片的性能提高成百上千倍，特別是對于AI計算，最高可實現(xiàn)1900多倍的性能提升。

2007年，北京大學團隊做出第一個超越硅的電子型晶體管，之后該團隊花費約10年時間把當時的90納米器件做到亞10納米，碳納米管直徑約1.3納米，用0.4伏電壓驅(qū)動，比硅基0.7伏電壓驅(qū)動的性能還要好，不僅功耗降低很多，速度也提高了3倍左右。實現(xiàn)碳納米管技術(shù)的前提是攻克包括碳納米管材料在內(nèi)的若干挑戰(zhàn)性問題，該團隊經(jīng)過20年的努力，基本解決了這些問題，相關(guān)研究先后15次被ITRS報告引用。

未來，半導體技術(shù)的發(fā)展趨勢是更強大的數(shù)字電子、更多樣的功能。更多的功能包括碳基模擬、射頻、紅外、柔性等，更高的性能包括碳基數(shù)字電路等，更強大的碳基芯片則包括碳納米管數(shù)字+模擬、射頻、柔性、光電等。

碳基電子在毫米波段和太赫茲波段的優(yōu)勢為速度更快、頻帶更寬、安全、不易被干擾。例如，目前中國5G技術(shù)主要使用亞6GHz頻段，但非常擁擠。5G技術(shù)的發(fā)展和未來的6G技術(shù)需要大量可用的連續(xù)頻段，但這些頻段只在90GHz之上才存在，而90GHz以上目前沒有成熟的半導體技術(shù)。因此，發(fā)展能夠工作在90GHz~300GHz的半導體技術(shù)變得愈發(fā)重要。

未來，如何應對摩爾定律的終結(jié)，以及由此帶來的材料與集成等問題，3D碳基芯片技術(shù)將是重中之重。碳基技術(shù)有望全方位沖擊現(xiàn)有半導體產(chǎn)業(yè)格局。但這一新技術(shù)要全面超越主流半導體技術(shù)，還需要社會和國家的參與與支持。

作者：彭練矛 國科學院院士、北京大學電子學院院長

記者馮麗妃根據(jù)其在2023年當代杰出華人科學家公開講座上的報告整理

責任編輯：朱文悅